RSR010N10FHATL دیتاشیت

RSR010N10FHATL

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RSR010N10FHATL
حجم فایل 76.202 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت RSR010N10FHATL-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RSR010N10FHATL
  • Power Dissipation (Pd): 1W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 520mΩ@10V,1A
  • Package: TSMT-3
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه